हुंडई 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

EDO DRAM में तेज़ डेटा I/O के लिए अस्थायी मेमोरी स्पेस है. यह तब प्रभावी होता है जब सिस्टम कैश मेमोरी समर्थन प्राप्त नहीं कर पाता है. लेकिन अगर सिस्टम में कैश मेमोरी है, EDO DRAM का प्रभाव कम होता है.

• उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड.
• वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/32
• विनिर्माता देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया)
• भाग संख्या : HYM532414 BM-60
• बनाने का कारक : SIMM
• विशेषताएं : 72पिन, EDO DRAM, गैर समता
• याददाश्त क्षमता : 16एमबी
• बैंडविड्थ : 32बिट
• रफ़्तार : 60एनएस(Trac)
• वोल्टेज : 5वी
• चिप रचना : HY5117404B(J-60) × 8
• एक चिप क्षमता : 4एम एक्स 4 बिट

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