उत्पादक : LG Semicon Co., लिमिटेड. विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : ? बनाने का कारक : SIMM Features : 72पिन, EDO DRAM, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60एनएस(Trac) वोल्टेज : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह : 1998/27 One Chip Capacity : 4M […]

Product Name EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Part Number EKM256S74BP8-E6 Manufacturer EK Memory Country of Manufacture Taiwan Chip Build Year/Week 2008/27 Memory Module Type DDR2 SO-DIMM 200 pin Data Capacity 2GB Clock Speed 667Mhz (पीसी2-5300) Memory Timing CL=5, टीआरसीडी=5, tRP=5 Features 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(लैपटॉप) Memory Data Bits x64 Data Chip info EK20908A8A-3EG […]

Product name Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture Philippine Build year/week 2014/08 Data Capacity 8GB Clock speed 1600Mhz (PC3-12800) Memory Timing CL=11, tRCD=11, tRP=11 Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 20, 30, 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 रैंक […]

M368L6423DTM 32M बिट x . है 64 दुगनी डाटा दर(डीडीआर) एसडीआरएएम उच्च घनत्व मेमोरी मॉड्यूल क्रमशः 256 एमबी डीडीआर एसडीआरएएम की पांचवीं पीढ़ी पर आधारित है. M368L6423DTM में सोलह CMOS 32M x . शामिल हैं 8 66पिन टीएसओपी-द्वितीय में 4बैंक डबल डेटा दर एसडीआरएएम के साथ बिट(400हज़ार) 184pin ग्लास-एपॉक्सी सब्सट्रेट पर लगे पैकेज. चार 0.1uF डिकॉउलिंग कैपेसिटर हैं […]

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने जुलाई में 30nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DDR3 SDRAM मॉड्यूल जारी किया 2010. यह रैम मॉड्यूल 40nm प्रोसेस टेक्नोलॉजी द्वारा बनाया गया था. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, पीसी3-10600एस-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Manufacturer Samsung Electronics (सेकंड) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 Data Capacity 4GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) मेमोरी टाइमिंग […]