सैमसंग 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe परफॉर्मेंस OEM SSD (फीनिक्स नियंत्रक)

सैमसंग PM981 सैमसंग से प्राप्त OEM उत्पाद है 970 एवो.

इस ड्राइव में सैमसंग के नए 64-लेयर वी-नंद और एक उच्च-प्रदर्शन नियंत्रक हैं जो अप तक पहुंचाता है 3,000 अनुक्रमिक के एमबी/एस थ्रूपुट पढ़ें और 270,000 यादृच्छिक पढ़ें IOPS.

सैमसंग पोलारिस V2 मेमोरी कंट्रोलर का उपयोग प्रारंभिक संस्करण में किया गया था, लेकिन बाद के संस्करण में एआरएम फीनिक्स मेमोरी कंट्रोलर का उपयोग किया गया था.

पैसे के अच्छे मूल्य के कारण यह कुछ समय के लिए लोकप्रिय था.

उत्पाद का नाम	सैमसंग 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe परफॉर्मेंस OEM SSD
भाग संख्या	MZVLB256HAHQ-00000
नमूना	एमजेड-वीएलबी2560
जारी वर्ष	2017
उत्पादक	सैमसंग
विनिर्माता देश	चीन
पीउत्पाद वर्गीकरण	आंतरिक एसएसडी (ठोस राज्य ड्राइव)
बनाने का कारक	एम.2 (2280)
इंटरफेस	पीसीआईई 3.0 (x4) (32जीटी/एस)
होस्ट नियंत्रक इंटरफ़ेस	एनवीएमई 1.2
प्रलयंकारी	256जीबी
प्रति सेक्टर बाइट	512बाइट
मेमोरी प्रकार	नंद फ़्लैश मेमोरी, टीएलसी
नंद संरचना	Samsung V-NAND V4 (टीएलसी 3डी नंद, 64-परतें)
DRAM	○
एसएलसी कैशिंग	○
प्रदर्शन	– अनुक्रमिक पढ़ें : 3000एमबी/एस – क्रमबद्ध लिखें : 1800एमबी/एस – पढ़ने के लिए IOPS : मैक्स. 270के – लिखने के लिए IOPS : मैक्स. 420के
मेमोरी नियंत्रक	एआरएम फीनिक्स (S4LR020 S821HNQD 1842 एआरएम फीनिक्स)
एनवीएमई हीट सिंक	शामिल नहीं
उबेर	< 1 सेक्टर प्रति 10 15 बिट्स पढ़ें
एमटीबीएफ	1.5 मिलियन घंटे
तापमान	ऑपरेटिंग : 0°सी~ 70°सी गैर ऑपरेटिंग : -40डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
नमी (गैर संघनक)	गैर ऑपरेटिंग : 5 ~ 95%
रैखिक झटका	गैर ऑपरेटिंग (0.5एमएस अवधि के साथ 1/2 साइन लहर) : 1,500 Gpeak
कंपन	गैर ऑपरेटिंग (20 ~ 2,000 हर्ट्ज, sinusoidal) : 20 Gpeak
वोल्टेज तरंग/शोर (अधिकतम.)	100एमवी पी-पी
बिजली की खपत	– पढ़ना (प्रकार, आरएमएस) : 5.9डब्ल्यू – लिखना (प्रकार, आरएमएस) : 5.7डब्ल्यू – निठल्ला (प्रकार) : 30मेगावाट – L1.2 (प्रकार) : 5मेगावाट
चौड़ाई	22.00 ± 0.15 मिमी
लंबाई	80.00 ± 0.15 मिमी
ऊंचाई	मैक्स. 2.38 मिमी
वजन	मैक्स. 9.0जी