उत्पादक : LG Semicon Co., लिमिटेड. विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : ? बनाने का कारक : SIMM Features : 72पिन, EDO DRAM, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60एनएस(Trac) वोल्टेज : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह : 1998/27 One Chip Capacity : 4M […]

उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. निर्माण वर्ष : 1994 विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : HYM532100AM-70 फॉर्म फैक्टर : SIMM मेमोरी प्रकार : ईडीओ डीआरएएम मेमोरी क्षमता : 4एमबी बस प्रकार : तेज़ पेज मेमोरी (एफ पी एम) त्रुटि सुधार : गैर-समता पिन : 72पिन बैंडविड्थ : 32बिट विलंबता : 70एनएस (Trac) वोल्टेज […]

EDO DRAM में तेज़ डेटा I/O के लिए अस्थायी मेमोरी स्पेस है. यह तब प्रभावी होता है जब सिस्टम कैश मेमोरी समर्थन प्राप्त नहीं कर पाता है. लेकिन अगर सिस्टम में कैश मेमोरी है, EDO DRAM का प्रभाव कम होता है. उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/32 विनिर्माता देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया) भाग संख्या […]