Samsung 1 МБ DRAM 30pin SIMM

KMM591000AN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000AJ-7 і одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 складається з двох мікросхем KM44C1000BJ-7 та одного мікросхеми KM44C1000CJ-7. Це 1 МБ DRAM-SIMM, вироблені компанією Samsung Electronics.

• Виробнича компанія : Samsung Electronics
• Рік виготовлення : 1992 / 1993
• Країна виробництва : Південна Корея
• Особливості модуля : 30шпилька, SIMM, Паритет оперативної пам'яті
• обсяг пам'яті : 1мегабайт
• Ширина смуги : 8біт
• Функція швидкості : 70нс(tRAC)
• чіп Склад :
  KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
  KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7

Схожі повідомлення:

Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0)