Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Автор DeviceLog.com | Опубліковано в DDR SDRAM | Опубліковано 2015-03-03

0

M368L6423DTM має 32M біт x 64 Подвійна швидкість передачі даних(DDR) Модуль пам'яті SDRAM високої щільності, заснований на п'ятому поколінні 256 Мб DDR SDRAM відповідно. M368L6423DTM складається з шістнадцяти CMOS 32M x 8 біт із 4-хбанковими SDRAM з подвійною швидкістю передачі даних у 66-контактному TSOP-II(400тисяч) пакети, встановлені на 184-контактній скло-епоксидній підкладці. Чотири розв’язувальних конденсатора 0,1 мкФ встановлені на друкованій платі паралельно для кожної DDR SDRAM. Подвійний вбудований модуль пам'яті M368L6423DTM призначений для монтажу в 184-контактні роз'єми..

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Назва продукту Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
виробник Samsung Electronics
Країна виробництва Корея
Рік побудови / тиждень 2003/12
Ємність даних 512мегабайт
Тактова швидкість 166МГц (PC2700, DDR333)
Час пам’яті CL=2,5
риси 184шпилька, DIMM, Розбуферизувати не-ECC DDR SDRAM
Розмір 133.35мм × 31,75 мм
Біти даних 64біт
Внутрішній модуль банків 4
Склад даних чіпа K4H560838D-TCB3× 16
(32M × 8 біт × 16 мікросхем)
Пакет ЦОП-ІІ
Напруга VDD 2.5В ± 0,2 В
Робоча температура корпусу Діапазон 0° C ~ 85 ° C

Схожі повідомлення:

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, несправжнім RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R × 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2 ГБ 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, Китай) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4 Гб DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, Корея) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 FrontsideElpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 ГбSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) КартинаSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) Пам'ять EK 2 ГБ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6Пам'ять EK 2 ГБ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16 МБ EDO-DRAM SIMM передня панельLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Теги:, , , , , , , , , , ,

написати коментар