Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)
Автор DeviceLog.com | Опубліковано в DDR4 SDRAM | Опубліковано 2019-11-06
1
| Назва продукту | Samsung DDR4 SDRAM 16 ГБ 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) |
|---|---|
| Номер частини | M378A2K43CB1-CTD (C-the) |
| виробник | Samsung Electronics |
| Країна виробник | Китай |
| Рік побудови / Тиждень | 2019 / 06 |
| Тип DIMM | UDIMM |
| Ємність даних | 16гігабайт |
| Швидкість передачі даних (Макс. Пропускна здатність) |
2666.67 MT / с (21333.33 Мб / с) |
| Час пам’яті (CL – tRCD – тРП – після – tRC) |
19-19-19-43-61 |
| риси | 288шпилька, Розпакуйте не-ECC DDR4 SDRAM DIMM |
| Біти даних | x64 |
| Внутрішній модульний банк | 16 Банки (4 Банківські групи) |
| Чини | 2 (Подвійний ранг) |
| Компонентний склад | (1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16 |
| Пакет | 78FBGA з функцією без свинцю & Без галогену (RoHS сумісні) |
| Висота | 31.25 мм |
| Напруга VDD | 1.2 V ± 0.06 V |
| Робоча температура корпусу Діапазон | Середній період оновлення 7,8us при нижньому від TСЛУЧАЙ 85℃, 3.9нам у 85 ℃ < ТСЛУЧАЙ ≤ 95 ℃ |
Схожі повідомлення:
Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)
Samsung 4 Гб DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, Корея)
A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800)
Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, Китай)
Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, несправжнім RAM)
Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7)
Пам'ять EK 2 ГБ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6
Elpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1
EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8)
Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0)
Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)
Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0)
Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0)
Samsaung Galaxy S (SHW-M110S)
LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Здравствуйте, Владельцы Samsung ОЗУ! Отпишитесь, по данной модели, как она с i3 10100f?