Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, несправжнім RAM)

Автор DeviceLog.com | Опубліковано в DDR SDRAM | Опубліковано 2013-03-13

3

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (несправжнім RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (несправжнім RAM)

  • Назва продукту : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригінальні запчастини)
  • Номер частини : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • виробник : Samsung Electronics (SEC)
  • Країна виробництва : Південна Корея
  • Рік побудови / тиждень : 2003/33
  • Ємність даних : 512мегабайт
  • Тактова швидкість : 400МГц (PC3200)
  • риси : 184шпилька, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Склад даних чіпа : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 фішки
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6Samsung DDR2 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC2-6400 фронтальна

Коментарі (3)

Is this ddr 1???

Thank you and good luck.

написати коментар