Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Wysłane przez DeviceLog.com | Opublikowany w DDR SDRAM | Wysłany dnia 2015-03-03

0

M368L6423DTM ma 32M bit x 64 Podwójna szybkość przesyłania danych(DDR) Moduł pamięci o wysokiej gęstości SDRAM oparty na piątej generacji odpowiednio 256 MB DRAM SDRAM. M368L6423DTM składa się z szesnastu CMOS 32M x 8 bit z SDRAMami 4banks Double Data Rate w 66-pinowym TSOP-II(400tysiąc) paczki montowane na podłożu szklano-epoksydowym o długości 184pin. Cztery kondensatory odsprzęgające 0,1 uF są zamontowane równolegle na płytce drukowanej dla każdej pamięci DDR SDRAM. Podwójny moduł pamięci liniowej M368L6423DTM przeznaczony do montażu w gniazdach złącza krawędziowego 184-pinowego.

Samsung 256MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 256MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Nazwa produktu Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Korea
Rok budowy / tydzień 2003/12
dane Wydajność 512MB
Szybkośc zegara 166Mhz (PC2700, DDR333)
taktowanie pamięci CL=2,5
cechy 184kołek, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Rozmiar 133.35mm × 31,75 mm
bity danych 64kawałek
Moduł wewnętrzny banki 4
Kompozycja układ dane K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 bitów × 16 żetonów)
Pakiet TSOP-II
napięcie VDD 2.5V ± 0,2 V
Działających Case Zakres temperatur 0° C + 85 ° C

Powiązane posty:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, nieoryginalny RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM 1333MHz PC3-10600 (2RX8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R x 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R x 8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM 1333MHz PC3-10600 (1RX8, Chiny) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM 1333MHz PC3-10600 (2RX8, Korea) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM PC2-6400 2GB 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG 8GB DIMM ddr4 (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB ddr4 UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG ddr4 16GB PC4-21300 1906Samsung 16GB ddr4 UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) Elpida DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 FrontsideElpida 2 GB DDR3 SDRAM SO DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1.5GBSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) ObrazekSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) Pamięć EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6Pamięć EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM z przoduLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
tagi:, , , , , , , , , , ,

Napisz komentarz