Producent : LG Semicon Co., Sp. z o.o. Kraj produkcji : Numer części Korei Południowej : ? Form Factor : Funkcje SIMM : 72kołek, EDO DRAM, Pojemność pamięci bez parzystości : 16Przepustowość MB : 32prędkość bitowa : 60ns(Trac) Napięcie : 5Skład V Chipa : GM71C17400CJ6 × 8 Rok/tydzień budowy chipów : 1998/27 One Chip Pojemność : 4M […]

Nazwa produktu Pamięć EK 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Numer części EKM256S74BP8-E6 Producent EK Pamięć Kraj produkcji Tajwan Rok produkcji chipa / tydzień 2008/27 Typ modułu pamięci DDR2 SO-DIMM 200 pin Pojemność danych 2 GB Prędkość zegara 667 MHz (PC2-5300) Taktowanie pamięci CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Zawiera 200-pinowy niebuforowany notebook bez ECC(Laptop) Memory Data Bits x64 Data Chip info EK20908A8A-3EG […]

Nazwa produktu Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM 8GB PC3-12800 (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Producent Samsung Electronics Kraj produkcji filipińskiej Rok budowy / tydzień 2014/08 Dane Pojemność 8GB taktowania 1600MHz (PC3-12800) Taktowanie pamięci CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Cechy 240pin, proces technologiczny Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Produkcja 20, 30, 40Dane nm bity banki 64 Jednostka wewnętrzna 8 Szeregi […]

M368L6423DTM ma 32M bit x 64 Podwójna szybkość przesyłania danych(DDR) Moduł pamięci o wysokiej gęstości SDRAM oparty na piątej generacji odpowiednio 256 MB DRAM SDRAM. M368L6423DTM składa się z szesnastu CMOS 32M x 8 bit z SDRAMami 4banks Double Data Rate w 66-pinowym TSOP-II(400tysiąc) paczki montowane na podłożu szklano-epoksydowym o długości 184pin. Cztery kondensatory odsprzęgające 0,1 uF […]

Samsung Electronics wydany moduły DDR3 SDRAM przy użyciu technologii 30nm procesu w lipcu 2010. Moduł pamięci RAM został dokonany dzięki technologii procesowej 40nm. Nazwa produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Producent Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji Chiny Rok budowy / tydzień 2011/13 Dane Pojemność 4GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) taktowanie pamięci […]