Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy : 1994 Kraj produkcji : Numer części Korei Południowej : HYM532100AM-70 Form Factor : Typ pamięci SIMM : Pojemność pamięci EDO DRAM : 4Typ magistrali MB : Szybka pamięć stron (FPM) Korekcja błędów : Kołki bez parytetu : 72pin Przepustowość : 32nieco opóźnienie : 70ns (Trac) Napięcie […]

Nazwa produktu : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 producenta : EKmemory Kraj produkcji : Korea Południowa Dane Wydajność : 2szybkość zegara GB : 1333Mhz (PC3-10600) cechy : 240kołek, Kompozycja układ Unbuffer dla ECC DDR3 danych SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Napięcie wióry VDD : 1.5V strona główna : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&NO = 91

KMM591000AN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000AJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000BJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. Są to moduły SIMM DRAM 1 MB produkowane przez Samsung Electronics. Firma produkcyjna : Rok produkcji Samsung Electronics : 1992 / 1993 Kraj produkcji : Funkcje modułu w Korei Południowej : 30kołek, SIMM, Parzystość pamięci RAM […]

EDO DRAM ma tymczasowej pamięci na szybsze danych I / O. Jest skuteczny, gdy system nie może otrzymać wsparcie pamięci podręcznej. Ale jeśli system jest wyposażony w pamięć cache, efekt EDO DRAM jest mało. Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy / tydzień : 1997/32 Kraj produkcji : Korea (Korea Południowa) Numer części […]

Ta pamięć RAM to 30-pinowy 1 MB SIMM wyprodukowany przez przemysł Hyundai Electronics(Hynix teraz). 30-pinowe moduły SIMM były powszechnie używane od 80286 do 80486. Jeśli liczba żetonów jest liczbą nieparzystą, jeden z żetonów wykonuje kontrolę parzystości. Ta pamięć RAM składa się z dwóch HY514400A(1Mx 4bit) i jeden HY531000A(1M x 1 bit). Pojemność pamięci […]