Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Wysłane przez DeviceLog.com | Opublikowany w DDR SDRAM | Wysłany dnia 2015-03-03

0

M368L6423DTM ma 32M bit x 64 Podwójna szybkość przesyłania danych(DDR) Moduł pamięci o wysokiej gęstości SDRAM oparty na piątej generacji odpowiednio 256 MB DRAM SDRAM. M368L6423DTM składa się z szesnastu CMOS 32M x 8 bit z SDRAMami 4banks Double Data Rate w 66-pinowym TSOP-II(400tysiąc) paczki montowane na podłożu szklano-epoksydowym o długości 184pin. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung 256MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) Samsung 256MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Nazwa produktu Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Producent Samsung Electronics
Kraj produkcji Korea
Rok budowy / tydzień 2003/12
dane Wydajność 512MB
Szybkośc zegara 166Mhz (PC2700, DDR333)
taktowanie pamięci CL=2.5
cechy 184kołek, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Rozmiar 133.35mm × 31.75mm
bity danych 64kawałek
Moduł wewnętrzny banki 4
Kompozycja układ dane K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16chips)
Pakiet TSOP-II
napięcie VDD 2.5V ± 0.2V
Działających Case Zakres temperatur 0° C + 85 ° C

Powiązane posty:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, nieoryginalny RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM 1333MHz PC3-10600 (2RX8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R x 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R x 8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM 1333MHz PC3-10600 (1RX8, Chiny) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM 1333MHz PC3-10600 (2RX8, Korea) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM PC2-6400 2GB 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM PC2-6400 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG 8GB DIMM ddr4 (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB ddr4 UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG ddr4 16GB PC4-21300 1906Samsung 16GB ddr4 UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) Elpida DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 FrontsideElpida 2 GB DDR3 SDRAM SO DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1.5GBSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) ObrazekSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) Pamięć EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6Pamięć EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM z przoduLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
tagi:, , , , , , , , , , ,

Napisz komentarz