Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, गैर-वास्तविक RAM)

द्वारा पोस्ट गरिएको DeviceLog.com | मा पोस्ट गरियो DDR SDRAM | मा पोस्ट गरियो 2013-03-13

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Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (गैर-वास्तविक RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (गैर-वास्तविक RAM)

  • उत्पादन नाम : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (non-genuine parts)
  • Part number : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • निर्माता : सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स (SEC)
  • उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया
  • Build year/week : 2003/33
  • डाटा क्षमता : 512MB
  • घडीको गति : 400Mhz (PC3200)
  • विशेषताहरु : 184पिन, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • डाटा चिप संरचना : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 चिप्स
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

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टिप्पणीहरू (3)

Savvas मा भन्नुभयो 2016-04-25

Is this ddr 1???

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DeviceLog.com मा भन्नुभयो 2016-06-02

Yes.

जवाफ दिनुहोस्
film western मा भन्नुभयो 2018-06-19

Thank you and good luck.

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