Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, गैर-वास्तविक RAM)

द्वारा पोस्ट गरिएको DeviceLog.com | मा पोस्ट गरियो DDR SDRAM | मा पोस्ट गरियो 2013-03-13

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Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (गैर-वास्तविक RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 अन्डरसाइड (गैर-वास्तविक RAM)

  • उत्पादन नाम : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (गैर-वास्तविक भागहरू)
  • भाग नम्बर : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • निर्माता : सैमसंग इलेक्ट्रोनिक्स (SEC)
  • उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष/हप्ता निर्माण गर्नुहोस् : 2003/33
  • डाटा क्षमता : 512MB
  • घडीको गति : 400Mhz (PC3200)
  • विशेषताहरु : 184पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC DDR SDRAM DIMM
  • डाटा चिप संरचना : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 चिप्स
  • डाटा बैंकहरू : 4 बैंकहरू
  • अन्तराल ताजा गर्नुहोस् : 7.8μs (8K/64ms रिफ्रेस)
  • विलम्ब पढ्नुहोस् : 3 घडी (CL3)
  • फट लम्बाइ : 2, 4, 8
  • फट प्रकार : क्रमिक & अन्तरबार्ता
  • अधिकतम बर्स्ट रिफ्रेस चक्र : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V

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टिप्पणीहरू (3)

सव्वास मा भन्नुभयो 2016-04-25

के यो डा 1???

जवाफ दिनुहोस्
DeviceLog.com मा भन्नुभयो 2016-06-02

हो.

जवाफ दिनुहोस्
पश्चिमी फिल्म मा भन्नुभयो 2018-06-19

धन्यवाद र शुभकामना.

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