उत्पादक : एलजी सेमीकॉन कंपनी, लिमिटेड. विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : ? बनाने का कारक : एसआईएमएम विशेषताएं : 72पिन, EDO DRAM, गैर-समता स्मृति क्षमता : 16एमबी बैंडविड्थ : 32बिट गति : 60एनएस(Trac) वोल्टेज : 5वी चिप संरचना : GM71C17400CJ6 × 8 चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह : 1998/27 एक चिप क्षमता : 4एम […]

उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. निर्माण वर्ष : 1994 विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया भाग संख्या : HYM532100AM-70 फॉर्म फैक्टर : SIMM मेमोरी प्रकार : ईडीओ डीआरएएम मेमोरी क्षमता : 4एमबी बस प्रकार : तेज़ पेज मेमोरी (एफ पी एम) त्रुटि सुधार : गैर-समता पिन : 72पिन बैंडविड्थ : 32बिट विलंबता : 70एनएस (Trac) वोल्टेज […]

KMM591000AN-7 दो KM44C1000AJ-7 चिप्स और एक KM44C1000CJ-7 चिप से बना है. KMM591000BN-7 दो KM44C1000BJ-7 चिप्स और एक KM44C1000CJ-7 चिप से बना है. वे सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित 1एमबी डीआरएएम सिम हैं. निर्माण कंपनी : सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स निर्मित वर्ष : 1992 / 1993 विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया मॉड्यूल सुविधाएँ : 30पिन, SIMM, पैरिटी रैम मेमोरी क्षमता […]

EDO DRAM में तेज़ डेटा I/O के लिए अस्थायी मेमोरी स्पेस है. यह तब प्रभावी होता है जब सिस्टम कैश मेमोरी समर्थन प्राप्त नहीं कर पाता है. लेकिन अगर सिस्टम में कैश मेमोरी है, EDO DRAM का प्रभाव कम होता है. उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, लिमिटेड. वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/32 विनिर्माता देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया) भाग संख्या […]

यह SIMM सुनहरे रंग से मढ़वाया गया है. इस SIMM का प्लेटिंग रंग और बोर्ड रूप GM71C4400A वाले SIMM से भिन्न है. GM71C4400B 1M × 4 बिट है. और GM71C1000B 1M × 4 बिट है. इस SIMM की मेमोरी क्षमता और कार्य GM71C4400A और GM71C1000 वाले SIMM से भिन्न नहीं है. उत्पादन […]