Samsung 4 GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

Publicado por DeviceLog.com | Publicado en SDRAM DDR3 | Publicado en 2015-03-02

3

Samsung Electronics lanzou módulos SDRAM DDR3 mediante a tecnoloxía de proceso de 30 nm en xullo 2010. Este módulo RAM foi feito pola tecnoloxía de proceso de 40 nm.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600s-09-10-F2, M471B5273CH0-KCH9)
Fabricante Samsung Electronics (Sec)
País de fabricación China
Construír ano/semana 2011/13
Capacidade de datos 4GB
Velocidade do reloxo 1333Mhz (PC3-10600)
Temporalización da memoria CL=9, tRCD=9, tRP=9
características 204alfinete, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Tecnoloxía do proceso de produción 40nm
Bits de datos x64
Bancos de módulos internos 8
Rangos 2
Composición do chip de datos 256M x 8 * 16 pcs
Revisión de compoñentes 2Gb, C-die
Paquete 78 ball FBGA
Altura 30mm
Tensión VDD 1.5V
Rango de temperatura do caso operativo 0°C ~ 85 °C

Comentarios (3)

I would like to buy this Memory.

Hi there,

How can I order one of this?

Thank you!

I was planning to buy one of this module

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600s-09-10-F2, M471B5273CH0-KCH9)

Escribe un comentario