Samsung 4 GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
publicado por DeviceLog.com | Publicado en DDR3 SDRAM | Publicado en 2015-03-02
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Samsung Electronics lanzó módulos DDR3 SDRAM utilizando la tecnología de proceso de 30 nm en julio 2010. Este módulo RAM fue hecho por la tecnología de proceso de 40 nm.
| Nombre del producto | Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 SO-DIMM de 4 GB (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
|---|---|
| Fabricante | Samsung Electronics (SEGUNDO) |
| País de fabricación | China |
| Año de construcción / semana | 2011/13 |
| Capacidad de datos | 4GB |
| Velocidad de reloj | 1333Megahercio (PC3-10600) |
| sincronización de la memoria | CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 |
| Caracteristicas | 204alfiler, SODIMM, Desactivar memoria SDRAM DDR3 sin ECC |
| tecnología de proceso de producción | 40Nuevo Méjico |
| Bits de datos | x64 |
| bancos módulo interno | 8 |
| filas | 2 |
| composición chip de datos | 256M x 8 * 16 pcs |
| componente de revisión | 2Gb, C-la |
| Paquete | 78 balón FBGA |
| Altura | 30mm |
| voltaje VDD | 1.5V |
| Caso de funcionamiento Temperatura Rango | 0° C ~ 85 ° C |
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