Fabricante : LG Semicon Co., Limitado. País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : ? Factor de forma : Características SIMM : 72alfiler, EDO DRAM, Capacidad de memoria sin paridad : 16Ancho de banda MB : 32velocidad de bits : 60ns(TRAC) voltaje : 5Composición de chips V : GM71C17400CJ6 × 8 Año / semana de fabricación del chip : 1998/27 Un chip Capacidad : 4METRO […]

Nombre del producto EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Número de pieza EKM256S74BP8-E6 Fabricante EK Memory País de fabricación Taiwán Año de fabricación del chip / semana 2008/27 Tipo de módulo de memoria DDR2 SO-DIMM 200 pin Capacidad de datos 2GB Velocidad de reloj 667Mhz (PC2-5300) Tiempo de memoria CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 características portátil de 200 pines sin búfer sin ECC(Ordenador portátil) Bits de datos de memoria x64 Información del chip de datos EK20908A8A-3EG […]

Nombre del producto Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM de 8 GB PC3-12800 (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Fabricante Samsung Electronics país de fabricación de Filipinas Año de construcción / semana 2014/08 Capacidad de datos del reloj 8GB 1600MHz de velocidad (PC3-12800) Sincronización de la memoria CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 Características 240pin, tecnología de proceso unbuffer No ECC DDR3 SDRAM DIMM de Producción 20, 30, 40Bits de datos nm bancos x64 módulo interno 8 filas […]

El M368L6423DTM es 32M bit x 64 Doble velocidad de transmisión de datos(DDR) módulo de memoria SDRAM de alta densidad basado en el quinto genernation de 256 MB DDR SDRAM, respectivamente. El M368L6423DTM consta de dieciséis CMOS 32M x 8 bit con 4banks Double Data Rate SDRAM en 66pin TSOP-II(400mil) paquetes montados sobre un sustrato de vidrio-epoxi 184pin. Cuatro 0.1uF condensadores de desacoplamiento son […]

Samsung Electronics lanzó módulos DDR3 SDRAM utilizando la tecnología de proceso de 30 nm en julio 2010. Este módulo RAM fue hecho por la tecnología de proceso de 40 nm. Nombre del producto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 SO-DIMM de 4 GB (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Fabricante Samsung Electronics (SEGUNDO) País de fabricación China Año de construcción / semana 2011/13 Capacidad de datos 4GB Velocidad de reloj 1333Mhz (PC3-10600) sincronización de la memoria […]