Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de construcción : 1994 País de fabricación : Número de parte de Corea del Sur : Factor de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memoria SIMM : EDO DRAM Capacidad de memoria : 4MB tipo de bus : Memoria Fast Page (FPM) Error de corrección : Pines de no paridad : 72pin ancho de banda : 32latencia de bit : 70ns (TRAC) voltaje […]

Nombre del producto : EKmemory SDRAM DDR3 de 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Fabricante : EKmemory país de fabricación : Capacidad del Sur Corea de Datos : 2velocidad GB Reloj : 1333Megahercio (PC3-10600) Caracteristicas : 240alfiler, composición de chip Retirar del búfer No ECC DDR3 SDRAM DIMM Data : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 voltaje VDD fichas : 1.5V Página de inicio : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&no = 91

KMM591000AN-7 está compuesto por dos chips KM44C1000AJ-7 y un chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 se compone de dos chips KM44C1000BJ-7 y un chip KM44C1000CJ-7. Son SIMM DRAM de 1 MB producidos por Samsung Electronics. Empresa de fabricación : Año de fabricación de Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricación : Características del módulo de Corea del Sur : 30alfiler, SIMM, Capacidad de memoria RAM de paridad […]

EDO DRAM tiene espacio de memoria temporal para los datos más rápidas de E / S. Es efectivo cuando el sistema no puede recibir ayuda de la memoria caché. Pero si el sistema tiene memoria caché, el efecto de EDO DRAM es poco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Limitado. Año de la estructura / Semana : 1997/32 País de fabricación : Corea (Corea del Sur) Número de pieza […]

Esta RAM es SIMM de 1 MB de 30 pines producida por la industria de Hyundai Electronics(Hynix de ahora). 30-pin SIMM se utilizaron universalmente desde 80286 a 80486. Si el número de fichas es impar, uno de los chips realiza una comprobación de paridad. Esta RAM está compuesta por dos HY514400A(1M x 4 bits) y un HY531000A(1M x 1 bit). La capacidad de memoria de […]