三星4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
发布者 DeviceLog.com | 张贴在 DDR3 SDRAM | 发表于 2015-03-02
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三星电子发布了采用30nm工艺技术的DDR3 SDRAM模块在七月 2010. 此内存模块是由40nm制程工艺制造.
| 产品名称 | 三星DDR3 SDRAM 4GB PC3-10600 SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
|---|---|
| 生产厂家 | 三星电子 (SEC) |
| 制造国 | 中国 |
| 构建年/周 | 2011/13 |
| 数据容量 | 4GB |
| 时钟速度 | 1333兆赫 (PC3-10600) |
| 内存时序 | CL = 9, 的tRCD = 9, tRP的= 9 |
| 特征 | 204销, SODIMM, 非缓冲非ECC DDR3 SDRAM |
| 生产工艺技术 | 40纳米 |
| 数据位 | 64位 |
| 内部模块银行 | 8 |
| 行列 | 2 |
| 数据芯片组合物 | 256一M× 8 * 16 个 |
| 组件版本 | 2GB, C-的 |
| 包 | 78 球FBGA |
| 高度 | 30毫米 |
| VDD电压 | 1.5V |
| 工作温度范围 | 0°C〜85℃ |
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