Samsung Electronics випустила модулі DDR3 SDRAM із використанням технології 30 нм у липні 2010. Цей модуль оперативної пам'яті був виготовлений за технологією 40 нм. Назва продукту Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 ГБ SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Виробник Samsung Electronics (SEC) Країна виробник Китай Побудова рік / тиждень 2011/13 Ємність даних 4 ГБ Тактова частота 1333 МГц (PC3-10600) Час пам’яті […]

виробник : Hyundai Electronics Industries Co., ТОВ. Рік побудови : 1994 Країна виробництва : Номер деталі Південної Кореї : Форм-фактор HYM532100AM-70 : Тип пам'яті SIMM : Ємність пам'яті EDO DRAM : 4Тип шини MB : Швидка пам'ять сторінок (FPM) Виправлення помилок : Піни без паритету : 72pin Пропускна здатність : 32затримка бітів : 70нс (tRAC) Напруга […]

Назва продукту : Samsung SDRAM 32MB PC66 Номер за каталогом : KMM366S403BTN-G0 Виробник : Samsung Electronics (SEC) Країна виробництва : Південна Корея Будівництво рік/тиждень : 1997/33 Ємність даних : 32MB Тактова частота : 66МГц (ПК66) риси : 168шпилька, Небуферизований Non-ECC SDRAM DIMM Склад мікросхеми даних : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 мікросхеми VDD : 3.3V

Назва продукту : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригінальні запчастини) Номер частини : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Виробник : Samsung Electronics (SEC) Країна виробництва : Південна Корея Будівництво рік/тиждень : 2003/33 Ємність даних : 512MB Тактова частота : 400МГц (PC3200) риси : 184шпилька, Небуферизований Non-ECC DDR SDRAM DIMM Склад мікросхеми даних : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 чіпи Дані […]

Назва продукту : EKmemory DDR3 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Виробник : EKmemory Країна виробник : Ємність даних Південної Кореї : 2GB Тактова частота : 1333МГц (PC3-10600) риси : 240шпилька, Розблоковуйте склад мікросхеми даних без ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 мікросхеми напруга VDD : 1.5V Домашня сторінка : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = драма&ні = 91