Назва продукту : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Номер деталі : KMM366S203CTL-G0 Виробник : Samsung Electronics Co., ТОВ. (SEC) Країна виробництва : Південна Корея Будівництво рік/тиждень : 1998/09 Ємність даних : 16MB Тактова частота : 66МГц (ПК66) риси : 168 шпилька, Небуферизований Non-ECC SDRAM DIMM Склад мікросхеми даних : [KM48S2020CT-G10] × 8 фішки (2М […]

Назва продукту : LG SDRAM 16MB PC66 Номер деталі : GMM2642233BLTG-10K 7101S Виробник : LG Semicon Co., ТОВ. Країна виробництва : Південна Корея Будівництво рік/тиждень : 1997/03 Ємність даних : 16MB Тактова частота : 66МГц (ПК66) риси : 168шпилька, Небуферизований Non-ECC SDRAM DIMM Склад мікросхеми даних : [GM72V16821BT10K] × 8 фішки (2M × 64 біт) один […]

виробник : LG Semicon Co., ТОВ. Країна виробництва : Номер деталі Південної Кореї : ? фактор форми : Особливості SIMM : 72шпилька, EDO DRAM, Ємність пам'яті без паритету : 16Пропускна здатність МБ : 32бітова швидкість : 60нс(tRAC) Напруга : 5V Склад мікросхем : GM71C17400CJ6 × 8 Створення мікросхеми рік/тиждень : 1998/27 Ємність однієї мікросхеми : 4М […]

EDO DRAM має тимчасовий простір в пам'яті для швидшого введення-виведення даних. Він ефективний, коли система не може отримати підтримку кеш-пам'яті. Але якщо в системі є кеш-пам'ять, ефект EDO DRAM незначний. виробник : Hyundai Electronics Industries Co., ТОВ. Рік побудови / Тиждень : 1997/32 Країна виробництва : Корея (Південна Корея) Номер частини […]