Tagagawa : Ang Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Taon ng Pagbuo : 1994 Bansa ng pagawaan : Numero ng Bahagi ng South Korea : HYM532100AM-70 Form Factor : Uri ng SIMM Memory : EDO DRAM Memory Capacity : 4Uri ng MB Bus : Mabilis na Memorya ng Pahina (FPM) Pagwawasto ng error : Non-parity Pins : 72Bandwidth ng pin : 32medyo Latency : 70ns (tRAC) Boltahe […]
Ipagpatuloy ang pagbabasa
Pangalan ng Produkto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Bansa ng paggawa : Kapasidad ng Data ng South Korea : 2GB Bilis ng orasan : 1333Mhz (PC3-10600) Mga Tampok : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Komposisyon ng chip ng data : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD boltahe : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&hindi = 91
Ang KMM591000AN-7 ay binubuo ng dalawang KM44C1000AJ-7 chips at isang KM44C1000CJ-7 chip. Ang KMM591000BN-7 ay binubuo ng dalawang KM44C1000BJ-7 chips at isang KM44C1000CJ-7 chip. Ang mga ito ay 1MB DRAM SIMM na ginawa ng Samsung Electronics. Kumpanya ng Paggawa : Ang Samsung Electronics ay gumawa ng taon : 1992 / 1993 Bansa ng pagawaan : Mga Tampok ng South Korea Module : 30pin, SIMM, Kapasidad ng memorya ng Parity RAM […]
Ang EDO DRAM ay may pansamantalang memory space para sa mas mabilis na data I/O. Ito ay epektibo kapag ang system ay hindi makatanggap ng cache memory support. Ngunit kung ang system ay may cache memory, maliit lang ang epekto ng EDO DRAM. Tagagawa : Ang Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Buuin ang Taon / Linggo : 1997/32 Bansa ng pagawaan : Korea (Timog Korea) Bahagi ng Bahagi […]
Ang RAM na ito ay 30-pin 1MB SIMM na ginawa ng Hyundai Electronics Industry(Hynix ng ngayon). 30-Ang mga pin simms ay ginamit sa buong mundo mula sa 80286 sa 80486. Kung ang bilang ng mga chips ay kakaibang numero, Ang isa sa mga chips ay nagsasagawa ng tseke ng pagkakapare -pareho. Ang RAM na ito ay binubuo ng dalawang HY514400A(1M x 4bit) at isang hy531000a(1M x 1bit). Ang kapasidad ng memorya ng […]
