ฮุนได 1MB DRAM 30pin SIMM

RAM นี้เป็น SIMM ขนาด 1 เมกะไบต์ 30 พินที่ผลิตโดยอุตสาหกรรม Hyundai Electronics(ตอนนี้ Hynix). 30-PIN SIMMs ถูกใช้อย่างกว้างขวางจาก 80286 ถึง 80486. หากจำนวนชิปเป็นเลขคี่, หนึ่งในชิปทำการตรวจสอบความเท่าเทียมกัน.

RAM นี้ประกอบด้วยสอง HY514400A(1M x 4 บิต) และหนึ่ง HY531000A(1M x 1 บิต). ความจุหน่วยความจำของ RAM คือ 1MB. HY531000A เป็นชิปข้อมูล, และ HY531000A เป็นชิพเท่าเทียมกัน.

• ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด.
• ปีที่ผลิต : 1993
• คุณสมบัติของสินค้า : 30-หมุด, DRAM SIMM, พาริตี้แรม
• ความจุหน่วยความจำ : 1MB
• แบนด์วิดธ์ : 8นิดหน่อย
• คุณสมบัติความเร็ว : 70NS(Trac)
• องค์ประกอบชิป : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 เกร็ด)

กระทู้ที่เกี่ยวข้อง:

Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) ฮุนได 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) ซัมซุง 1MB DRAM 30pin SIMM ฮุนได 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8) LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) ซัมซุง 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 SO-DIMM หน่วยความจำ EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6