Самсунг Елецтроницс је у јулу објавио ДДР3 СДРАМ модуле користећи 30нм процесну технологију 2010. Овај РАМ модул направљен је 40нм процесном технологијом. Назив производа Самсунг ДДР3 СДРАМ ПЦ3-10600 4ГБ СО-ДИММ (2РКС8, ПЦ3-10600С-09-10-Ф2, М471Б5273ЦХ0-ЦХ9) Произвођач Самсунг Елецтроницс (СЕЦ) Земља производње Кина Година производње/недеља 2011/13 Капацитет података 4ГБ Брзина такта 1333Мхз (ПЦ3-10600) Меморија Тајминг […]

Произвођач : Хиундаи Елецтроницс Индустриес Цо., Лтд. Година изградње : 1994 Земља производње : Јужна Кореја број дела : ХИМ532100АМ-70 Фактор облика : СИММ Тип меморије : Капацитет меморије ЕДО ДРАМ : 4МБ Тип сабирнице : Брза меморија страница (ФПМ) Исправљање грешке : Нон-парити Пинс : 72пин Бандвидтх : 32бит Латенци : 70НС (тРАЦ) Напон […]

Назив производа : Самсунг СДРАМ 32МБ ПЦ66 Број дела : КММ366С403БТН-Г0 Произвођач : Компанија Самсунг Елецтроницс (СЕЦ) Земља производње : Јужна Кореја Година/недеља изградње : 1997/33 подаци Капацитет : 32МБ Брзина такта : 66мхз (ПЦ66) Карактеристике : 168игла, Композиција чипа за податке без баферовања без ЕЦЦ СДРАМ ДИММ : [КМ48С2020БТ-Г10] ✕ 16 чипс ВДД : 3.3в

Назив производа : Самсунг ДДР СДРАМ 512МБ ПЦ3200 (неоригиналних делова) Произвођачки број : ПЦ3200У-30331-Б2 М368Л6423ЕТМ-ЦЦЦ Произвођач : Компанија Самсунг Елецтроницс (СЕЦ) Земља производње : Јужна Кореја Година/недеља изградње : 2003/33 подаци Капацитет : 512МБ Брзина такта : 400мхз (ПЦ3200) Карактеристике : 184игла, Небаферовани Нон-ЕЦЦ ДДР СДРАМ ДИММ Композиција чипа података : [СЕЦ К4Х560838Е-ТЦЦЦ] ✕ 8 цхипс Дата […]

Назив производа : ЕКмемори ДДР3 СДРАМ 2ГБ 2Рк8 ПЦ3-10600У-9-10-Б0 Произвођач : ЕКмемори Земља производње : Капацитет података Јужне Кореје : 2ГБ Брзина сата : 1333мхз (ПЦ3-10600) Карактеристике : 240игла, Унбаффер Нон-ЕЦЦ ДДР3 СДРАМ ДИММ Композиција чипа података : [ЕКМ324Л28БП8-13] ✕ 16 чипови ВДД напон : 1.5В Почетна страница : хттп://ввв.екмемори.цом/ббс/виев.пхп?ид = драм&не = 91