Самсунг 4ГБ ДДР3 СОДИММ ПЦ3-10600 1333МХз (2РКС8, Кореја)
Поставио ДевицеЛог.цом | Објављено у ДДР3 | Објављено 2013-01-10
0
| Назив производа | Самсунг 4ГБ ДДР3 СДРАМ ПЦ3-10600 меморија (2РКС8, ПЦ3-10600У-09-10-А0, М378Б5273ДХ0-ЦХ9, М378Б5273ДХ1) |
|---|---|
| Произвођач | Компанија Самсунг Елецтроницс (СЕЦ) |
| Земља производње | Јужна Кореја |
| Година изградње / недеља | 2011/31 |
| подаци Капацитет | 4МБ |
| Такт | 1333мхз (ПЦ3-10600) |
| Меморија Тајминг | ЦЛ = 9, тРЦД = 9, тРП = 9 |
| Карактеристике | 240игла, Унбуфферед ДДР3 ЕЦЦ СДРАМ ДИММ |
| бита података | к64 |
| Дубина / Бит организација | 512М / к8 |
| Интерна Модуле банке | 8 |
| ранкс | 2 |
| чип састав подаци | [СЕЦ ХЦХ9 К4Б2Г0846Д] ✕ 16 чипс (256Мбит ✕ 8 ✕ 16 ком) |
| Ревизија компоненте | 4тх генерација |
| пакет | ФБГА (Без олова & Без халогена) |
| висина | 30мм, |
| Вдд напон | 1.5в |
| Оперативни случаја Температуре | 0° Ц ~ 85 ° Ц |
релатед постс:
ЕКмемори 2ГБ ДДР3 СОДИММ ПЦ3-10600 1333МХз (2РКС8)
Самсунг 2ГБ ДДР3 СОДИММ ПЦ3-10600 1333МХз (1РКС8, Кина)
Самсунг 4ГБ ПЦ3-10600 ЛВ ДДР3 СДРАМ ДИММ
Самсунг 8ГБ ПЦ3-12800 ДДР3 СОДИММ (2: Р × 8, М378Б1Г73КХ0-ЦК0)
Самсунг 8ГБ ДДР4 СДРАМ РДИММ 1Рк8 ПЦ4-21300 (ПЦ4-2666В-УА2-11) (М378А1К43ЦБ2-ЦТД)
Самсунг 16ГБ ДДР4 СДРАМ РДИММ 2Рк8 ПЦ4-21300 (ПЦ4-2666В-УБ1-11) (М378А2К43ЦБ1-ЦТД)
ЕЛПИДА 2ГБ ДДР3 СДРАМ СО-ДИММ ПЦ3-10600С-9-10-Ф1
Самсунг 512МБ ПЦ3200 ДДР СДРАМ СОДИММ (цл3, није оригиналан РАМ-)
Самсунг 2ГБ ДДР2 СОДИММ 2Рк8 ПЦ2-6400 (М378Т5663КЗ3-ЦФ7)
А-Дата Витеста 512 ДДР600 СОДИММ (ПЦ4800)
Самсунг 32МБ СДРАМ ДИММ ПЦ66 (КММ366С403БТН-А0)
Самсунг 512МБ пц2700 СДРАМ СОДИММ (М368Л6423ДТМ)
ЕК меморија 2 ГБ ДДР2 СО-ДИММ ПЦ2-5300 ЦЛ5 ЕКМ256С74БП8-Е6
Самсунг 16МБ СДРАМ ДИММ ПЦ66 (КММ366С203ЦТЛ-Г0)
Самсунг СДХЦ класа 10 Основних 32 ГБ
Самсунг Спинпоинт Ф2ЕГ ХД154УИ 1.5ТБ
Самсунг Галаки С4 ЛТЕ-А (СХВ-Е330С)
Самсаунг Галаки (ГТ-М110С)
Мацроник МКС86200 (СиС 6202)