Pengilang : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Tahun Binaan : 1994 Negara pembuatan : Nombor Bahagian Korea Selatan : HYM532100AM-70 Faktor Bentuk : Jenis memori SIMM : Kapasiti Memori EDO DRAM : 4Jenis Bas MB : Memori Halaman Pantas (FPM) Pembetulan kesilapan : Pin bukan pariti : 72pin Lebar jalur : 32sedikit Latensi : 70NS (tRAC) voltan […]

Nama Produk : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Pengeluar : EKmemory Negara pembuatan : Kapasiti Data Korea Selatan : 2GB Kelajuan jam : 1333Mhz (PC3-10600) ciri-ciri : 240sematkan, Nyahpenampan bukan ECC DDR3 SDRAM DIMM Komposisi cip data : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 voltan VDD cip : 1.5V Laman utama : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&tidak=91

KMM591000AN-7 terdiri dua cip KM44C1000AJ-7 dan satu cip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 disusun dengan dua cip KM44C1000BJ-7 dan satu cip KM44C1000CJ-7. Mereka adalah 1MB dram simms yang dihasilkan oleh Samsung Electronics. Syarikat pembuatan : Samsung Electronics yang dihasilkan tahun : 1992 / 1993 Negara pembuatan : Ciri Modul Korea Selatan : 30sematkan, SIMM, Kapasiti Memori RAM Parity […]

EDO DRAM mempunyai ruang memori sementara untuk I/O data yang lebih pantas. Ia berkesan apabila sistem tidak dapat menerima sokongan memori cache. Tetapi jika sistem mempunyai memori cache, kesan EDO DRAM adalah sedikit. Pengilang : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Bina Tahun / Minggu : 1997/32 Negara pembuatan : Korea (Korea Selatan) Nombor Bahagian […]

RAM ini adalah 30-pin 1MB SIMM yang dihasilkan oleh Industri Elektronik Hyundai(Hynix sekarang). 30-pin simms digunakan secara universal dari 80286 ke 80486. Sekiranya bilangan cip adalah nombor ganjil, Salah satu kerepek melakukan pemeriksaan pariti. RAM ini terdiri daripada dua HY514400A(1M x 4bit) dan satu HY531000A(1M x 1bit). Keupayaan ingatan […]