Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, China)

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DDR3 SDRAM | Dihantar pada 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Nama Produk Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 Memori 2GB (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Pengilang Samsung Elektronik Negara Pembuatan China Membina Tahun/Minggu 2010/38 Kapasiti Data 2GB Kelajuan Jam 1333MHz (PC3-10600) Ciri -ciri 240pin, Unbuffer non-ECC DDR3 SDRAM SDRAM Teknologi Proses Pengeluaran Dimm 40nm Data Bits X64 Bank Modul Dalaman 8 Komposisi cip data [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 kerepek […]

Teruskan membaca

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DDR SDRAM | Dihantar pada 2012-10-25

0

A-DATA VITESTA DDR600 VIESTA MEMORY, dalam modul memori DDR SDRAM, Pertama mencapai kelajuan jam 600MHz dengan cip memori Samsung TCCD. Kapasiti data A-Data Viesta ialah 512MB atau 256MB. Kebanyakannya digunakan untuk ovcrclocking.   Nama Produk A-Data Vitesta DDR600 512MB Nombor Bahagian Mdosslf3H47A0B1G0Z Pengilang A-Data Negara Pembuatan Taiwan Tahun 2004 Ciri -ciri 184Pin Unbuffer […]

Teruskan membaca

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DDR3 SDRAM | Dihantar pada 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Bahagian Depan

Nama Produk : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Nombor Bahagian : Pengeluar EBJ21UE8BFU0-DJ-F : ELPIDA Negara pembuatan : Tahun/Minggu Binaan Taiwan : 2010/38 Faktor Bentuk : Ciri-ciri SO-DIMM DDR3 : 204sematkan, Kapasiti Memori Bukan ECC : 2Kadar Data Maks GB : 1333Voltan Mbps : 1.5V Organisasi : 256Perkataan M × 64 bit, 2 berpangkat Komposisi Cip : J1108BFBG-DJ-F […]

Teruskan membaca