Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, China)

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DDR3 SDRAM | Dihantar pada 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Komposisi cip data [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 kerepek […]

Teruskan membaca

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DDR SDRAM | Dihantar pada 2012-10-25

0

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, in DDR SDRAM memory modules, firstly achieved 600Mhz clock speed with Samsung TCCD memory chips. The data capacity of A-data Viesta was 512MB or 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Teruskan membaca

SIMM Samsung 1MB DRAM 30pin

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DRAM asal | Dihantar pada 2012-05-18

1

Bahagian belakang Samsung 1MB DRAM SIMM (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Syarikat pembuatan : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Negara pembuatan : Ciri Modul Korea Selatan : 30sematkan, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Teruskan membaca

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DDR3 SDRAM | Dihantar pada 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Bahagian Depan

Nama Produk : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Nombor Bahagian : Pengeluar EBJ21UE8BFU0-DJ-F : ELPIDA Negara pembuatan : Tahun/Minggu Binaan Taiwan : 2010/38 Faktor Bentuk : Ciri-ciri SO-DIMM DDR3 : 204sematkan, Kapasiti Memori Bukan ECC : 2Kadar Data Maks GB : 1333Voltan Mbps : 1.5V Organisasi : 256Perkataan M × 64 bit, 2 berpangkat Komposisi Cip : J1108BFBG-DJ-F […]

Teruskan membaca

Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DRAM EDO | Dihantar pada 2011-08-04

1

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Bahagian depan)

EDO DRAM mempunyai ruang memori sementara untuk I/O data yang lebih pantas. Ia berkesan apabila sistem tidak dapat menerima sokongan memori cache. Tetapi jika sistem mempunyai memori cache, kesan EDO DRAM adalah sedikit. Pengilang : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Bina Tahun / Minggu : 1997/32 Negara pembuatan : Korea (Korea Selatan) Nombor Bahagian […]

Teruskan membaca