Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, RAM ບໍ່ແມ່ນທີ່ແທ້ຈິງ)
ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-13
3
- ຊື່ຜະລິດຕະພັນ : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ແມ່ນຂອງແທ້)
- ເລກສ່ວນ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
- ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ)
- ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີໃຕ້
- ສ້າງປີ / ອາທິດ : 2003/33
- ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 512MB
- ຄວາມໄວຂອງໂມງ : 400Mhz (PC3200)
- ຄຸນລັກສະນະ : 184pin, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
- ສ່ວນປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ຊິບ
- ທະນາຄານຂໍ້ມູນ : 4 ທະນາຄານ
- ໄລຍະການໂຫຼດຂໍ້ມູນຄືນໃໝ່ : 7.8μs (8ໂຫຼດຂໍ້ມູນຄືນໃໝ່ K/64ms)
- ອ່ານ latancy : 3 ໂມງ (CL3)
- ຄວາມຍາວລະເບີດ : 2, 4, 8
- ປະເພດລະເບີດ : ລຳດັບ & ແຊກແຊງ
- ຮອບວຽນການໂຫຼດຂໍ້ມູນຄືນໃໝ່ສູງສຸດ : 8
- VDD, VDDQ : 2.6Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 ດ້ານຫນ້າ
ຂໍ້ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ:
A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)
Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)
Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (1RX8, ຈີນ)
Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8, ເກົາຫລີ)
EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8)
Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN, G0)
Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)
Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)
Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)
ຫນ່ວຍຄວາມ ຈຳ EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6
ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10, F1
Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0)
Samsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB
Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0)
Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S)
Samsaung Galaxy S (SHW-M110)
LG Semicon 16MB EDO-DRAM SIMM 72pin (GM71C17400CJ6)
LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
HIS Radeon RX560 14CU GREEN iCooler OC GDDR5 2GB
ນີ້ແມ່ນ ddr 1???
ແມ່ນແລ້ວ.
ຂອບໃຈແລະໂຊກດີ.