M368L6423DTM ແມ່ນ 32M bit x 64 ອັດຕາຂໍ້ມູນສອງເທົ່າ(DDR) ໂມດູນຄວາມຊົງຈໍາຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ SDRAM ອີງໃສ່ການຜະລິດທີຫ້າຂອງ 256Mb DDR SDRAM ຕາມລໍາດັບ. M368L6423DTM ປະກອບດ້ວຍສິບຫົກ CMOS 32M x 8 bit ກັບ 4banks Double Data Rate SDRAMs ໃນ 66pin TSOP-II(400ລ້ານ) ແພັກເກັດທີ່ຕິດຢູ່ເທິງຊັ້ນຮອງແກ້ວ-epoxy 184pin. ສີ່ຕົວເກັບປະຈຸ decoupling 0.1uF ແມ່ນ […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ແມ່ນຂອງແທ້) ເລກສ່ວນ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ) ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີ ສ້າງປີ/ອາທິດ : 2003/33 ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 512MB ຄວາມໄວໂມງ : 400Mhz (PC3200) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 184pin, ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR SDRAM DIMM : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ຂໍ້ມູນຊິບ […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, ໃນໂມດູນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DDR SDRAM, ທໍາອິດບັນລຸຄວາມໄວ 600Mhz ກັບຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Samsung TCCD. ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນຂອງ A-data Viesta ແມ່ນ 512MB ຫຼື 256MB. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສ່ວນໃຫຍ່ສໍາລັບການ ovcrclocking.   ຊື່ຜະລິດຕະພັນ A-DATA Vitesta DDR600 512MB ເລກສ່ວນ MDOSSLF3H47A0B1G0Z ຜູ້ຜະລິດ A-DATA ປະເທດທີ່ຜະລິດໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ 2004 ຄຸນສົມບັດ 184pin Unbuffer […]