ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics ປະເທດຜູ້ຜະລິດຈີນສ້າງປີ/ອາທິດ 2010/38 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 2GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນນະສົມບັດ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM ເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການຜະລິດ 40nm Data bits x64 ທະນາຄານໂມດູນພາຍໃນ 8 ສ່ວນປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ຊິບ […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, ໃນໂມດູນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DDR SDRAM, ທໍາອິດບັນລຸຄວາມໄວ 600Mhz ກັບຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Samsung TCCD. ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນຂອງ A-data Viesta ແມ່ນ 512MB ຫຼື 256MB. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສ່ວນໃຫຍ່ສໍາລັບການ ovcrclocking.   ຊື່ຜະລິດຕະພັນ A-DATA Vitesta DDR600 512MB ເລກສ່ວນ MDOSSLF3H47A0B1G0Z ຜູ້ຜະລິດ A-DATA ປະເທດທີ່ຜະລິດໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ 2004 ຄຸນສົມບັດ 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000AJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. KMM591000BN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000BJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. ພວກມັນແມ່ນ SIMMs 1 MB DRAM ທີ່ຜະລິດໂດຍ Samsung Electronics. ບໍລິສັດຜະລິດ : ຜະລິດຕະພັນ Samsung Electronics ປີ : 1992 / 1993 ປະເທດຜະລິດ : ຄຸນສົມບັດໂມດູນເກົາຫຼີໃຕ້ : 30pin, SIMM, ຄວາມສາມາດຫນ່ວຍຄວາມ ຈຳ RAM Parity […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ເລກສ່ວນ ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : ຜູ້ຜະລິດ EBJ21UE8BFU0-DJ-F : ELPIDA ປະເທດຜະລິດ : ໄຕ້ຫວັນສ້າງປີ/ອາທິດ : 2010/38 ປັດໃຈແບບຟອມ : ຄຸນສົມບັດ DDR3 SO-DIMM : 204pin, ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC : 2GB ອັດຕາຂໍ້ມູນສູງສຸດ : 1333ແຮງດັນ Mbps : 1.5V ອົງການຈັດຕັ້ງ : 256M ຄຳ × 64 ບິດ, 2 ອັນດັບຂອງອົງປະກອບຂອງຊິບ : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ມີພື້ນທີ່ຄວາມຊົງຈໍາຊົ່ວຄາວເພື່ອໃຫ້ຂໍ້ມູນ I/O ໄວຂຶ້ນ. ມັນມີປະສິດຕິຜົນເມື່ອລະບົບບໍ່ສາມາດຮັບການຮອງຮັບໜ່ວຍຄວາມຈຳຖານຄວາມຈຳໄດ້. ແຕ່ຖ້າລະບົບມີຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ cache, ຜົນກະທົບຂອງ EDO DRAM ແມ່ນຫນ້ອຍ. ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ສ້າງປີ / ອາທິດ : 1997/32 ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫລີ (ເກົາ​ຫຼີ​ໃຕ້) ລະຫັດສິນຄ້າ […]