ລົດຮຸນໄດ 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ EDO DRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-15

0

ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : 1994 ປະເທດຜະລິດ : ເລກສ່ວນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ປັດໄຈແບບຟອມ HYM532100AM-70 : ປະເພດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ SIMM : ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ EDO DRAM : 4ປະເພດລົດເມ MB : Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM (Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM) Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : Pins ບໍ່ເທົ່າກັນ : 72pin Bandwidth : 32ບິດ Latency : 70ns (tRAC) ແຮງດັນໄຟຟ້າ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN, G0)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-14

1

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung SDRAM 32MB PC66 ຈໍານວນສ່ວນ : KMM366S403BTN-G0 ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ) ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີ ສ້າງປີ/ອາທິດ : 1997/33 ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 32MB ຄວາມໄວໂມງ : 66Mhz (PC66) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 168pin, ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ DIMM ທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC SDRAM ທີ່ບໍ່ຖືກຈັດໃສ່ : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 ຊິບ VDD : 3.3V

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, RAM ບໍ່ແມ່ນທີ່ແທ້ຈິງ)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-13

3

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ແມ່ນຂອງແທ້) ເລກສ່ວນ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ) ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫຼີ ສ້າງປີ/ອາທິດ : 2003/33 ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 512MB ຄວາມໄວໂມງ : 400Mhz (PC3200) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 184pin, ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນທີ່ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR SDRAM DIMM : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ຂໍ້ມູນຊິບ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR3 SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-03

1

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຜູ້ຜະລິດ EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory ປະເທດຜະລິດ : ຄວາມອາດສາມາດດ້ານຂໍ້ມູນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : 2GB ຄວາມໄວໂມງ : 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chip VDD ແຮງດັນ : 1.5V ຫນ້າທໍາອິດ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = ລະຄອນ&no = 91

ສືບຕໍ່ການອ່ານ

Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8, ເກົາຫລີ)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR3 SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-01-10

0

Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຜະລິດເກົາຫຼີໃຕ້ສ້າງປີ/ອາທິດ 2011/31 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM Data bits x64 ຄວາມເລິກ / ອົງການຈັດຕັ້ງບິດ 512M / x8 ໂມດູນພາຍໃນ […]

ສືບຕໍ່ການອ່ານ