Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR3 SDRAM | გამოქვეყნდა 2015-03-02
3
Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით.
| Პროდუქტის სახელი | Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
|---|---|
| მწარმოებელი | Samsung Electronics (წ) |
| Მწარმოებელი ქვეყანა | China |
| აშენება წელი / კვირაში | 2011/13 |
| მონაცემთა მოცულობა | 4GB |
| Საათის სიჩქარე | 1333მჰც (PC3-10600) |
| მეხსიერების დრო | CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 |
| მახასიათებლები | 204pin, სოდიმმი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM |
| წარმოების პროცესის ტექნოლოგია | 40ნმმ |
| მონაცემთა ბიტი | x64 |
| შიდა მოდულის ბანკები | 8 |
| წოდებები | 2 |
| მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა | 256მ x 8 * 16 ცალი |
| კომპონენტის გადასინჯვა | 2გბ, გ-ის |
| პაკეტი | 78 ბურთი FBGA |
| სიმაღლე | 30mm |
| VDD ძაბვა | 1.5V |
| ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი | 0° C ~ 85 ° C |























მე მსურს ვიყიდო ეს მეხსიერება.
გამარჯობა,
როგორ შემიძლია შეუკვეთოთ ერთი ასეთი?
Გმადლობთ!
ვგეგმავდი ამ მოდულის ერთ-ერთ შეძენას
Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)