Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR3 SDRAM | გამოქვეყნდა 2015-03-02

3

Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4 GB ფრონტიდი Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4 GB უკანა მხარეს

Პროდუქტის სახელი Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
მწარმოებელი Samsung Electronics (წ)
Მწარმოებელი ქვეყანა China
აშენება წელი / კვირაში 2011/13
მონაცემთა მოცულობა 4GB
Საათის სიჩქარე 1333მჰც (PC3-10600)
მეხსიერების დრო CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
მახასიათებლები 204pin, სოდიმმი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 40ნმმ
მონაცემთა ბიტი x64
შიდა მოდულის ბანკები 8
წოდებები 2
მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა 256მ x 8 * 16 ცალი
კომპონენტის გადასინჯვა 2გბ, გ-ის
პაკეტი 78 ბურთი FBGA
სიმაღლე 30mm
VDD ძაბვა 1.5V
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი 0° C ~ 85 ° C

კომენტარები (3)

მე მსურს ვიყიდო ეს მეხსიერება.

გამარჯობა,

როგორ შემიძლია შეუკვეთოთ ერთი ასეთი?

Გმადლობთ!

ვგეგმავდი ამ მოდულის ერთ-ერთ შეძენას

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

Დაწერე კომენტარი