Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR SDRAM | გამოქვეყნდა 2015-03-03

0

M368L6423DTM არის 32M bit x 64 მონაცემთა ორმაგი სიჩქარე(DDR) SDRAM მაღალი სიმკვრივის მეხსიერების მოდული დაფუძნებული მეხუთე თაობის 256 Mb DDR SDRAM შესაბამისად. M368L6423DTM შედგება თექვსმეტი CMOS 32M x-ისგან 8 ბიტი 4 ბანკის მონაცემთა ორმაგი სიჩქარის SDRAM-ებით 66 პინიანი TSOP-II(400მლნ) პაკეტები დამონტაჟებულია 184 პინიან შუშა-ეპოქსიდურ სუბსტრატზე. ოთხი 0.1uF გამყოფი კონდენსატორი დამონტაჟებულია ბეჭდურ მიკროსქემის დაფაზე პარალელურად თითოეული DDR SDRAM-ისთვის. M368L6423DTM ორმაგი შიდა მეხსიერების მოდული და განკუთვნილია 184 პინიანი კიდეების კონექტორის სოკეტებში დასაყენებლად.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Პროდუქტის სახელი Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
მწარმოებელი Samsung Electronics
Მწარმოებელი ქვეყანა კორეა
აშენება წელი / კვირაში 2003/12
მონაცემთა მოცულობა 512MB
Საათის სიჩქარე 166მჰც (PC2700, DDR333)
მეხსიერების დრო CL=2.5
მახასიათებლები 184pin, DIMM, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM
ზომა 133.35მმ × 31,75 მმ
მონაცემთა ბიტი 64ცოტა
შიდა მოდულის ბანკები 4
მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 ბიტი × 16 ჩიპი)
პაკეტი TSOP-II
VDD ძაბვა 2.5V ± 0.2V
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი 0° C ~ 85 ° C

ამავე პოსტები:

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, არასამთავრობო ნამდვილი RAM) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R × 8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (1RX8, China) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8, კორეა) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM udimm 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM udimm 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) Elpida DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 FrontsideElpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1.5 GBSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1.5TB Galaxy S4 LTE-ASamsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) ᲡურათიSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) მაკრონიქსი MX86200 - SiS 6202მაკრონიქსი MX86200 (SiS 6202) EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM წინა მხარესLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Tags:, , , , , , , , , , ,

Დაწერე კომენტარი