Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR3 SDRAM | Апублікавана на 2015-03-02

3

У ліпені Samsung Electronics выпусціла модулі DDR3 SDRAM па 30-нм тэхпрацэсе 2010. Гэты модуль аператыўнай памяці выраблены па 40-нм тэхпрацэсу.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Назва прадукту Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Вытворца Samsung Electronics (SEC)
Краіна вытворца Кітай
Будаваць год/тыдзень 2011/13
Ёмістасць дадзеных 4ГБ
Тактавая частата 1333МГц (ПК3-10600)
Час памяці CL=9, tRCD=9, tRP=9
Асаблівасці 204шпілька, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Тэхналогія вытворчага працэсу 40нм
Біты дадзеных x64
Банкі ўнутраных модуляў 8
Званні 2
Кампазіцыя чыпа дадзеных 256M x 8 * 16 pcs
Рэвізія кампанентаў 2Gb, C-памерці
Пакет 78 ball FBGA
Вышыня 30мм
Напружанне VDD 1.5В
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 85 °C

Каментарыі (3)

I would like to buy this Memory.

Hi there,

How can I order one of this?

Thank you!

I was planning to buy one of this module

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

Напісаць каментар