Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR SDRAM | Апублікавана на 2015-03-03

0

M368L6423DTM мае 32 Мбіт x 64 Падвойная хуткасць перадачы дадзеных(DDR) Модуль памяці SDRAM высокай шчыльнасці на аснове пятага пакалення 256 Мб DDR SDRAM адпаведна. M368L6423DTM складаецца з шаснаццаці CMOS 32M x 8 біт з 4 банкамі SDRAM з падвойнай хуткасцю перадачы дадзеных у 66-кантактным TSOP-II(400млн) пакеты, усталяваныя на 184-кантактнай шкляна-эпаксіднай падкладцы. Чатыры раздзяляльныя кандэнсатары 0,1 мкФ усталяваны на друкаванай плаце паралельна для кожнай DDR SDRAM. Двухрадковы модуль памяці M368L6423DTM прызначаны для ўстаноўкі ў 184-кантактныя раздымныя раздымы.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Назва прадукту Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Вытворца Samsung Electronics
Краіна вытворца Карэя
Будаваць год/тыдзень 2003/12
Ёмістасць дадзеных 512MB
Тактавая частата 166МГц (ПК2700, DDR333)
Час памяці CL=2,5
Асаблівасці 184шпілька, DIMM, Небуферызаваная не-ECC DDR SDRAM
Памер 133.35мм × 31,75 мм
Біты дадзеных 64трохі
Банкі ўнутраных модуляў 4
Кампазіцыя чыпа дадзеных K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 біт × 16 мікрасхем)
Пакет ТСОП-ІІ
Напружанне VDD 2.5V ± 0,2V
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 85 °C

Падобныя паведамленні:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (ПК4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, неарыгінальная аператыўная памяць) eKmemory 2 ГБ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 МГц (2Rx8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Кітай) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4 ГБ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 МГц (2Rx8, Карэя) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8 ГБ DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16 ГБ PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 FrontsideELPIDA 2 ГБ DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 ГБSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1,5 ТБ Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) МалюнакSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) Памяць EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6Памяць EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM на пярэдняй панэліLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Тэгі:, , , , , , , , , , ,

Напісаць каментар