Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM)

Апублікавана DeviceLog.com | Апублікавана ў DDR SDRAM | Апублікавана на 2015-03-03

0

M368L6423DTM мае 32 Мбіт x 64 Падвойная хуткасць перадачы дадзеных(DDR) Модуль памяці SDRAM высокай шчыльнасці на аснове пятага пакалення 256 Мб DDR SDRAM адпаведна. M368L6423DTM складаецца з шаснаццаці CMOS 32M x 8 біт з 4 банкамі SDRAM з падвойнай хуткасцю перадачы дадзеных у 66-кантактным TSOP-II(400млн) пакеты, усталяваныя на 184-кантактнай шкляна-эпаксіднай падкладцы. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Назва прадукту Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Вытворца Samsung Electronics
Краіна вытворца Карэя
Будаваць год/тыдзень 2003/12
Ёмістасць дадзеных 512MB
Тактавая частата 166МГц (PC2700, DDR333)
Час памяці CL=2.5
Асаблівасці 184шпілька, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Памер 133.35mm × 31.75mm
Біты дадзеных 64трохі
Банкі ўнутраных модуляў 4
Кампазіцыя чыпа дадзеных K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16chips)
Пакет TSOP-II
Напружанне VDD 2.5V ± 0.2V
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 85 °C

Падобныя паведамленні:

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (ПК4800) Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, неарыгінальная аператыўная памяць) eKmemory 2 ГБ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 МГц (2Rx8) Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Кітай) Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131Samsung 4 ГБ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 МГц (2Rx8, Карэя) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Samsung DDR2 SDRAM 2 ГБ 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) SAMSUNG DDR4 SDRAM 8 ГБ DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) SAMSUNG DDR4 SDRAM 16 ГБ PC4-21300 1906Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 FrontsideELPIDA 2 ГБ DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 Samsung HD154UI 1,5 ГБSamsung Spinpoint F2EG HD154UI 1,5 ТБ Galaxy S4 LTE-A ③Samsung Galaxy S4 LTE-A (SHV-E330S) Samsung Galaxy S (SHW-M110S) МалюнакSamsaung Galaxy S (SHW-M110S) Macronix MX86200 - SiS 6202Macronix MX86200 (SiS 6202) Памяць EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6Памяць EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM на пярэдняй панэліLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Тэгі:, , , , , , , , , , ,

Напісаць каментар