三星4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
發布者 DeviceLog.com | 張貼在 DDR3 SDRAM | 發表於 2015-03-02
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三星電子在7月發布了使用30nm工藝技術的DDR3 SDRAM模塊 2010. 該RAM模塊由40nm工藝技術製成.
| 產品名稱 | 三星DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
|---|---|
| 生產廠家 | 三星電子 (美國證券交易委員會) |
| 製造國 | 中國 |
| 建造年/週 | 2011/13 |
| 數據容量 | 4GB |
| 時鐘速度 | 1333兆赫 (PC3-10600) |
| 內存時序 | CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 |
| 特徵 | 204銷, SODIMM, 非緩衝非ECC DDR3 SDRAM |
| 生產工藝技術 | 40納米 |
| 數據位 | 64位 |
| 內部模塊庫 | 8 |
| 行列 | 2 |
| 數據芯片組成 | 256x 8 * 16 個 |
| 組件修訂 | 2千兆位, C-的 |
| 包 | 78 球FBGA |
| 高度 | 30毫米 |
| VDD電壓 | 1.5V |
| 工作溫度範圍 | 0°C〜85°C |
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