生產廠家 : LG 半導體公司, 有限公司. 製造國 : 韓國零件編號 : ? 構成因素 : SIMM 特點 : 72銷, EDO DRAM, 非奇偶內存容量 : 16MB 帶寬 : 32位速度 : 60NS(RAC) 電壓 : 5V芯片組成 : GM71C17400CJ6 × 8 芯片構建年/週 : 1998/27 一顆芯片容量 : 4中號 […]

產品名稱 EK 內存 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 零件編號 EKM256S74BP8-E6 製造商 EK 內存製造國台灣芯片製造年/週 2008/27 內存模塊類型 DDR2 SO-DIMM 200 引腳數據容量 2GB 時鐘速度 667Mhz (PC2-5300) 內存時序 CL=5, tRCD=5, tRP = 5 功能 200pin 無緩衝非 ECC 筆記本(筆記本電腦) 內存數據位 x64 數據芯片信息 EK20908A8A-3EG […]

產品名稱三星8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 製造商三星電子生產國菲律賓製造年份/週 2014/08 數據容量8GB時鐘速度1600Mhz (PC3-12800) 內存時序CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11功能240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM生產過程技術 20, 30, 40nm數據位x64內部模塊庫 8 行列 […]

M368L6423DTM為32M位x 64 雙倍數據速率(DDR) 分別基於第五代256Mb DDR SDRAM的SDRAM高密度存儲模塊. M368L6423DTM由16個CMOS 32M x 8 位，帶有66pin TSOP-II中的4bank雙數據速率SDRAM(400千) 封裝安裝在184pin玻璃環氧樹脂基材上. 四個0.1uF去耦電容器分別為 […]

三星電子在7月發布了使用30nm工藝技術的DDR3 SDRAM模塊 2010. 該RAM模塊由40nm工藝技術製成. 產品名稱Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 製造商三星電子 (美國證券交易委員會) 生產國中國製造年/週 2011/13 數據容量4GB時鐘速度1333Mhz (PC3-10600) 內存時序 […]