ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี : 1994 ประเทศที่ผลิต : หมายเลขชิ้นส่วนของเกาหลีใต้ : HYM532100AM-70 ฟอร์มแฟกเตอร์ : SIMM ประเภทหน่วยความจำ : ความจุหน่วยความจำ EDO DRAM : 4MB ประเภทบัส : หน่วยความจำหน้าเร็ว (FPM) แก้ไขข้อผิดพลาด : พินที่ไม่เท่าเทียมกัน : 72พินแบนด์วิดท์ : 32บิตแฝง : 70NS (Trac) แรงดันไฟฟ้า […]

EDO DRAM มีพื้นที่หน่วยความจำชั่วคราวสำหรับข้อมูล I/O . ที่เร็วขึ้น. จะมีผลเมื่อระบบไม่สามารถรองรับหน่วยความจำแคชได้. แต่ถ้าระบบมีหน่วยความจำแคช, EDO DRAM มีผลเพียงเล็กน้อย. ผู้ผลิต : ฮุนไดอิเล็กทรอนิคส์อุตสาหกรรม จำกัด, จำกัด. สร้างปี / สัปดาห์ : 1997/32 ประเทศที่ผลิต : เกาหลี (เกาหลีใต้) ส่วนจำนวน […]

RAM นี้เป็น SIMM ขนาด 1 เมกะไบต์ 30 พินที่ผลิตโดยอุตสาหกรรม Hyundai Electronics(ตอนนี้ Hynix). 30-PIN SIMMs ถูกใช้อย่างกว้างขวางจาก 80286 ถึง 80486. หากจำนวนชิปเป็นเลขคี่, หนึ่งในชิปทำการตรวจสอบความเท่าเทียมกัน. RAM นี้ประกอบด้วยสอง HY514400A(1M x 4 บิต) และหนึ่ง HY531000A(1M x 1 บิต). ความจุหน่วยความจำของ […]