Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Сообщение от DeviceLog.com | Опубликовано в EDO DRAM | опубликовано 2011-08-04

1

EDO DRAM имеет временное пространство памяти для более быстрых данных ввода / вывода. Она эффективна, когда система не может получить кэш поддержки памяти. Но если система имеет кэш-память, эффект EDO DRAM мало.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Год постройки / Неделя : 1997/32
  • Страна выпуска : Корея (Южная Корея)
  • номер части : HYM532414 БМ-60
  • Фактор формы : SIMM
  • Особенности : 72штырь, EDO DRAM, Non-Parity
  • Объем памяти : 16мегабайт
  • Пропускная способность : 32немного
  • скорость : 60нс(Trac)
  • напряжение : 5V
  • Чип Состав : HY5117404B(J-60) × 8
  • One Chip Емкость : 4М х 4bit

Комментарии (1)

Карлос

Написать комментарий