производитель : LG Семикон Ко., Ltd. Страна выпуска : Южная Корея Номер детали : ? Фактор формы : Функции SIMM : 72штырь, EDO DRAM, Емкость памяти без контроля четности : 16МБ пропускная способность : 32бит Скорость : 60нс(Trac) напряжение : 5V Чип Состав : GM71C17400CJ6 × 8 Год сборки чипа / неделя : 1998/27 One Chip Емкость : 4M […]

производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Год постройки : 1994 Страна выпуска : Южная Корея Номер детали : HYM532100AM-70 Форм-фактор : Тип памяти SIMM : Емкость EDO DRAM памяти : 4МБ Тип автобуса : Fast Memory Page (FPM) Исправление ошибки : Без контроля четности Pins : 72контактный Пропускная способность : 32бит Задержка : 70нс (Trac) напряжение […]

KMM591000AN-7 состоит две KM44C1000AJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чип. KMM591000BN-7 состоит с двумя KM44C1000BJ-7 фишек и один KM44C1000CJ-7 чипа. Они 1MB DRAM модули SIMM, производимые компанией Samsung Electronics. Производственная компания : Samsung Electronics Произведенный год : 1992 / 1993 Страна выпуска : Модуль Южная Корея Особенности : 30штырь, SIMM, Четность Емкость Память RAM […]

EDO DRAM имеет временное пространство памяти для более быстрых данных ввода / вывода. Она эффективна, когда система не может получить кэш поддержки памяти. Но если система имеет кэш-память, эффект EDO DRAM мало. производитель : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Год постройки / Неделя : 1997/32 Страна выпуска : Корея (Южная Корея) номер части […]