Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, არასამთავრობო ნამდვილი RAM)

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR SDRAM | გამოქვეყნდა 2013-03-13

3

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (არასამთავრობო ნამდვილი RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (არასამთავრობო ნამდვილი RAM)

  • Პროდუქტის სახელი : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (არა ორიგინალური ნაწილები)
  • Ნაწილი ნომერი : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • მწარმოებელი : Samsung Electronics (წ)
  • Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა
  • აშენება წელი / კვირაში : 2003/33
  • მონაცემთა მოცულობა : 512MB
  • Საათის სიჩქარე : 400მჰც (PC3200)
  • მახასიათებლები : 184pin, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ჩიპები
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

კომენტარები (3)

Is this ddr 1???

Thank you and good luck.

Დაწერე კომენტარი