Samsung 4GB DDR3 PC3-10600 SDRAM SO-DIMM

Публикувано от DeviceLog.com | Публикувано в DDR3 SDRAM | публикувано на 2015-03-02

3

Samsung Electronics пусна DDR3 SDRAM модули, използващи технологията на процеса на 30nm през юли 2010. Това RAM модул е ​​направен от технологията процес 40nm.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB предният Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Име на продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Производител Samsung Electronics (SEC)
Страна на производство Китай
Изграждане година / седмица 2011/13
капацитет на данни 4GB
Тактова честота 1333Mhz (PC3-10600)
Времето на паметта CL = 9, tRCD = 9, Trp = 9
Характеристика 204щифт, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Производствен процес технология 40нм
бита за данни x64
Вътрешният модул за банките 8
звания 2
Данните чип състав 256М х 8 * 16 бр
Компонент редакция 2Gb, C-на
Пакет 78 топка FBGA
височина 30mm
VDD напрежение 1.5V
Работна дело температурен диапазон 0° C ~ 85 ° С

Коментари (3)

Бих искал да си купя тази памет.

Здрасти,

Как мога да си поръчате един от тази?

Благодаря ти!

Смятах да си купя един от този модул

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

Напиши коментар