Производител : LG Semicon Co., Ltd. Страна на производство : Номер на част от Южна Корея : ? Form Factor : Функции на SIMM : 72щифт, EDO DRAM, Капацитет на паметта без паритет : 16MB честотна лента : 32битова скорост : 60НЧ(Trac) Волтаж : 5V чип състав : GM71C17400CJ6 × 8 Година/седмица на изграждане на чип : 1998/27 Един Chip Капацитет : 4М […]

Име на продукта EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Номер на част EKM256S74BP8-E6 Производител EK Memory Държава производител Тайван Чип Build година / седмица 2008/27 Модул памет тип DDR2 SO-DIMM 200 pin капацитет за данни 2GB тактова честота 667Mhz (PC2-5300) Време за памет CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Характеристики 200-пинов небуфериран бележка извън ECC(Лаптоп) Битове за данни за паметта x64 Информация за чип за информация EK20908A8A-3EG […]

Име на продукта Samsung 8GB DDR3 SDRAM DIMM 8GB PC3-12800 (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Производител Samsung Electronics Държава на производство Philippine Build година / седмица 2014/08 Капацитет Data 8GB тактова честота 1600MHz (PC3-12800) Времето памет CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Характеристики 240pin, технология Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Производствен процес 20, 30, 40нанометра битове с данни x64 вътрешния модул банки 8 звания […]

В M368L6423DTM е 32M битова х 64 Двойна Data Rate(DDR) SDRAM памет модул с висока плътност на основата на петата genernation на 256Mb DDR SDRAM съответно. В M368L6423DTM се състои от шестнадесет CMOS 32M х 8 малко с 4banks Двойна Data Rate SDRAMs в 66pin TSOP-II(400хиляда) пакети, монтирани върху 184pin стъкло-епокси субстрат. Четири 0.1uF отделяне кондензатори са […]

Samsung Electronics пусна DDR3 SDRAM модули, използващи технологията на процеса на 30nm през юли 2010. Това RAM модул е ​​направен от технологията процес 40nm. Име на продукта Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Производител Samsung Electronics (SEC) Държава на производство Китай Build година / седмица 2011/13 Капацитет Data 4GB 1333MHz часовник скорост (PC3-10600) Времето на паметта […]