三星4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
發佈者 DeviceLog.com | 張貼 在 DDR3內存 | 發表于 2015-03-02
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三星電子於7月發佈咗採用30nm工藝技術嘅DDR3 SDRAM糢塊 2010. 呢個RAM糢塊係由40nm工藝技術製成嘅.
| 產品名稱 | 三星DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S系列-09-10-F2系列, M471B5273CH0-CH9) |
|---|---|
| 製造者 | 三星電子 (秒) |
| 製造國 | 中國 |
| 建造年/周 | 2011/13 |
| 數據容量 | 4國標 |
| 時鐘速度 | 1333兆赫 (PC3-10600) |
| 內存定時 | CL=9, tRCD=9, tRP=9 |
| 特徵 | 204針, SODIMM系列, Unbuffer非ECC DDR3 SDRAM |
| 生產工藝技術 | 40納米 |
| 數據位 | x64 |
| 內部糢塊組 | 8 |
| 行列 | 2 |
| 數據芯片組成 | 256米x 8 * 16 個人電腦 |
| 組件修訂 | 2千兆, C型模具 |
| 包 | 78 波FBGA |
| 高度 | 30毫米 |
| VDD電壓 | 1.5V |
| 工作案例溫度範圍 | 0°C ~ 85°C |
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