nhà chế tạo : Hyundai Electronics Industries Co., TNHH. xây dựng năm : 1994 Nước sản xuất : Hàn Quốc Part Number : Yếu tố hình thức HYM532100AM-70 : Loại bộ nhớ SIMM : Dung lượng bộ nhớ EDO DRAM : 4Loại xe buýt MB : Memory trang nhanh (FPM) Sửa lỗi : Ghim không chẵn lẻ : 72ghim băng thông : 32độ trễ bit : 70ns (Trác) Vôn […]

EDO DRAM có không gian bộ nhớ tạm thời để nhập/xuất dữ liệu nhanh hơn. Nó có hiệu quả khi hệ thống không thể nhận được hỗ trợ bộ nhớ đệm. Nhưng nếu hệ thống có bộ nhớ đệm, tác dụng của EDO DRAM rất ít. nhà chế tạo : Hyundai Electronics Industries Co., TNHH. Xây dựng Năm / tuần : 1997/32 Nước sản xuất : Hàn Quốc (Nam Triều Tiên) Part Number […]

RAM này là SIMM 30 chân 1MB do hãng điện tử Hyundai sản xuất(Hynix của bây giờ). 30-SIMM pin đã được sử dụng phổ biến từ 80286 đến 80486. Nếu số chip là số lẻ, một trong các chip thực hiện kiểm tra tính chẵn lẻ. RAM này bao gồm hai HY514400A(1M x 4bit) và một HY531000A(1Mx1bit). Dung lượng bộ nhớ của […]