nhà chế tạo : Hyundai Electronics Industries Co., TNHH. xây dựng năm : 1994 Nước sản xuất : Hàn Quốc Part Number : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Memory type : EDO DRAM Memory Capacity : 4MB Bus type : Memory trang nhanh (FPM) Sửa lỗi : Non-parity Pins : 72pin Bandwidth : 32bit Latency : 70ns (Trác) Vôn […]

Tên sản phẩm : Nhà sản xuất EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory Nước sản xuất : Dung lượng dữ liệu của Hàn Quốc : 2Tốc độ đồng hồ GB : 1333Mhz (PC3-10600) Đặc trưng : 240ghim, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Thành phần chip dữ liệu : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chip VDD điện áp : 1.5Trang chủ V : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = kịch&không = 91

KMM591000AN-7 được cấu thành từ hai chip KM44C1000AJ-7 và một chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 được cấu tạo với hai chip KM44C1000BJ-7 và một chip KM44C1000CJ-7. Chúng là các SIMM DRAM 1 MB được sản xuất bởi Samsung Electronics. Công ty sản xuất : Năm sản xuất của Samsung Electronics : 1992 / 1993 Nước sản xuất : Tính năng mô-đun Hàn Quốc : 30ghim, SIMM, Dung lượng bộ nhớ RAM chẵn lẻ […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. nhà chế tạo : Hyundai Electronics Industries Co., TNHH. Xây dựng Năm / tuần : 1997/32 Nước sản xuất : Hàn Quốc (Nam Triều Tiên) Part Number […]

RAM này là SIMM 30 chân 1MB do hãng điện tử Hyundai sản xuất(Hynix của bây giờ). 30-SIMM pin đã được sử dụng phổ biến từ 80286 đến 80486. Nếu số chip là số lẻ, một trong các chip thực hiện kiểm tra tính chẵn lẻ. RAM này bao gồm hai HY514400A(1M x 4bit) và một HY531000A(1Mx1bit). Dung lượng bộ nhớ của […]