Tên sản phẩm Bộ nhớ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Nhà sản xuất Samsung Electronics Sản xuất tại Trung Quốc Sản xuất năm / tuần 2010/38 Dung lượng dữ liệu 2GB Tốc độ xung nhịp 1333Mhz (PC3-10600) Tính năng 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Công nghệ quy trình sản xuất 40nm Các bit dữ liệu x64 Ngân hàng mô-đun bên trong 8 thành phần con chip dữ liệu [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 khoai tây chiên […]

Bộ nhớ A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, trong các mô-đun bộ nhớ DDR SDRAM, lần đầu tiên đạt được tốc độ xung nhịp 600Mhz với chip nhớ TCCD của Samsung. Dung lượng dữ liệu của A-data Viesta là 512MB hoặc 256MB. Nó chủ yếu được sử dụng để ép xung buồng trứng.   Tên sản phẩm A-DATA Vitesta DDR600 512MB Mã sản phẩm MDOSSLF3H47A0B1G0Z Nhà sản xuất A-DATA Sản xuất tại Đài Loan Năm xây dựng 2004 Tính năng 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 được cấu thành từ hai chip KM44C1000AJ-7 và một chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 được cấu tạo với hai chip KM44C1000BJ-7 và một chip KM44C1000CJ-7. Chúng là các SIMM DRAM 1 MB được sản xuất bởi Samsung Electronics. Công ty sản xuất : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Nước sản xuất : South Korea Module Features : 30ghim, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

tên sản phẩm : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : 2010/38 Yếu tố hình thức : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : 204ghim, ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : 2ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : 1333ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : 1.5ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : 256M từ × 64 chút ít, 2 ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Số bộ phận […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. nhà chế tạo : Hyundai Electronics Industries Co., TNHH. Xây dựng Năm / tuần : 1997/32 Nước sản xuất : Hàn Quốc (Nam Triều Tiên) Part Number […]