ชื่อสินค้าซัมซุง DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 หมายเลขชิ้นส่วน M378T5663QZ3-CF7 ผู้ผลิตซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศจีนผลิตรูปร่างปี / สัปดาห์ 2009/04, 2010/07 โมดูลหน่วยความจำประเภท DIMM ข้อมูลความจุ 2GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 800Mhz (PC2-6400) หน่วยความจำระยะเวลา CL = 6, tRCD = 6, TRP = 6 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM ข้อมูล Bits x64 ภายในโมดูลธนาคาร 8 อันดับ 2 ข้อมูล […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) ผู้ผลิต Samsung Electronics ประเทศที่ผลิต Philippine Build ปี / สัปดาห์ 2014/08 ความจุข้อมูล 8GB ความเร็วสัญญาณนาฬิกา 1600Mhz (PC3-12800) Memory Timing CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 คุณสมบัติ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 20, 30, 40nm Data bits x64 Internal Modules Banks 8 อันดับ […]

M368L6423DTM คือ 32M บิต x 64 อัตราข้อมูลสองครั้ง(DDR) โมดูลหน่วยความจำความหนาแน่นสูง SDRAM ตามการกำเนิดที่ห้าของ 256Mb DDR SDRAM ตามลำดับ. M368L6423DTM ประกอบด้วย CMOS 16M x สิบหกชุด 8 bit กับ SDRAMs อัตราการส่งข้อมูลคู่ 4 ใน 66pin TSOP-II(400หนึ่งพัน) แพคเกจติดตั้งบนพื้นผิวแก้วอีพ็อกซี่ 184pin. ตัวเก็บประจุแยกส่วน 0.1uF สี่ตัวคือ […]

ชื่อผลิตภัณฑ์ : Samsung SDRAM 32MB PC66 หมายเลขชิ้นส่วน : KMM366S403BTN-G0 ผู้ผลิต : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 1997/33 ความจุข้อมูล : 32ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 66เมกะเฮิรตซ์ (PC66) คุณสมบัติ : 168หมุด, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM องค์ประกอบของชิปข้อมูล : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 ชิป VDD : 3.3V

ชื่อผลิตภัณฑ์ : ซัมซุง DDR SDRAM 512MB PC3200 (อะไหล่ที่ไม่ใช่ของแท้) ส่วนจำนวน : ผู้ผลิต PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ (วินาที) ประเทศที่ผลิต : เกาหลีใต้ สร้างปี/สัปดาห์ : 2003/33 ความจุข้อมูล : 512ความเร็วสัญญาณนาฬิกา MB : 400เมกะเฮิรตซ์ (PC3200) คุณสมบัติ : 184หมุด, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM ส่วนประกอบชิปข้อมูล : [ก.ล.ต. K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ชิปข้อมูล […]